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研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B(CH3)3(TMB)的P型氢化非晶硅碳(a-SiC:H)窗口材料性能的影响,获得了电导率达到8.97×10^-7/cm、光学带隙大于2.0eV的P型a-SiC:H窗口材料。研究了单结电池P型a-SiC:H窗口层的CH4流量与P、I层制备温度三者间的匹配关系。结果表明,随着衬底温度的提高,需要更多的CH4流量以增大P型窗口层的带隙B和电池的短路电流密度Jsc;沉积系统中,P型窗口层的温度比本征吸收层高25-50℃时,电池性能较好。研究了3种类型的P/