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对高k栅介质SOInMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究，并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较，分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示，PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势，但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例，这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下，界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。