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用离子微探针测量Si 中注入B、As 杂质的浓度分布,发现测量误差很严重,原因在于质量干扰和J.C.C.Tsai 转换公式[1]有误。通用的离子探针不能将要测的二次离子和质量干扰离子分开,但根据本文提出的“实测二次离子计数分布模式”可将两者的离子计数分开。为了消除质量干扰离子的影响,导出两个对J.C.C.Tsai 公式的修正公式.据此得到与实际分布相符的注入杂质浓度分布,提高了仪器的测量准确度和监测极限。