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通过在平栅型基板上，分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜，形成阴极场发射阵列，并在阴极和栅极之间加载脉冲电流，使阴栅级之间的薄膜形成裂缝，并进行场致发射性能测试，测试结果表明，平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低。在阳压为3000V，隔离子高度为500μm时，平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110V，在栅压为110V时的发射效率为1％左右，随着栅压的增大，发射效率逐渐减小。该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性。