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为了提高聚酰亚胺薄膜的电学性能，将纳米硅／铝氧化物掺杂到聚酰亚胺（PI）基体中，通过固定掺杂总量，调整纳米硅／铝氧化物的相对质量百分含量，制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜。采用SEM（扫描电镜）表征了薄膜的表面形貌，对薄膜电气强度和耐电晕寿命进行了测试。结果表明：无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜与纯的聚酰亚胺薄膜相比其电性能大幅度提高。