正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：elong_ctu

【摘要】

：

从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率

【作者】

：

刘志强王良臣

【机构】

：

中科院半导体研究所集成技术中心

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

GAN基LED 提取效率 Monte-Carlo 模拟 GaN based LED light extraction efficiency Monte-carl

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从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提取效率,Ni/Au透明电极透射率为0.6～0.9时,相对于普通正装结构,倒装结构可以使LED提取效率提高39%～16%.

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