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由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。
晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨
【摘 要】
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由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年3期
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