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在实验数据的基础上，采用变角ＸＰＳ分析表面层状结构的计算程序，应用了新算法，使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Ｃｓ吸附在清洁ｐ－ＧａＡｓ（１００）表面上的Ｃｓ层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Ｃｓ／ＧａＡｓ达到峰值光电发射时，Ｃｓ覆盖率为０．７１个单层，Ｇａ、Ａｓ弛豫层厚度为２．３个单层，Ｇａ相对．Ａｓ轻微富集。