ZnS掺Mn的电子结构研究

来源 :高压物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:z814521
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用自旋极化的LSD-LMTO(Local-Spin-Density L-near Muffin-Tin-Orbital Method)方法,对ZnS掺入Mn发光中心的电子结构进行了大型超原胞模拟计算.在自洽收敛的条件下,先对纯ZnS调节计算参数(原子球、空球占空比),使计算的带隙Eg=3.23 eV;然后用原子球替代方式自洽计算杂质密度在Eg中的相对位置,模拟计算了在六角结构ZnS中掺入不同浓度的Mn杂质后有关的杂质能级在Eg中的相对位置.计算结果表明:(1)单个缺陷的杂质能级性质与配位场理论结果相符合,
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