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研究了一种光纤通讯用光电探测器。在ＧａＡｓ上蒸镀８００ｎｍ的Ｇｅ，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（ＳＡＭ－ＡＰＤ）的结构设计，采用ＧａＡｓ作为倍增区，Ｇｅ作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为０．２￣０．３Ｖ，反向击穿电压为２．５Ｖ，漏电不明显，ｐ－ｎ结特性良好。