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目前，对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu—W薄膜，考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明：直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时，钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在；随铜靶功率的增加，铜的晶粒尺寸先变大后变小；随钨靶功率的增大，β-钨有向非晶态转变的趋势，且铜的晶粒尺寸会明显变小；薄膜的沉积速率主由钨靶功率决定；工作气体氩气气压低于1．0Pa时，随气压升高，铜的晶粒尺寸变小，高于1．0Pa时，气压对薄膜结构没有影响。