【摘 要】
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实现了一种采用微波开关（PIN）二极管设计的低插损、高隔离度的 W波段单刀双掷开关（SPDT）。电路采用了改进的 Y 型结和梳状线高通滤波器形式的鳍线结构，有效提高了端口隔离度，降低了
【机 构】
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电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室
【基金项目】
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中央高校基本科研基金资助项目(ZYGX2011X002;ZYGX2011J018)
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实现了一种采用微波开关（PIN）二极管设计的低插损、高隔离度的 W波段单刀双掷开关（SPDT）。电路采用了改进的 Y 型结和梳状线高通滤波器形式的鳍线结构，有效提高了端口隔离度，降低了插入损耗。仿真结果显示，导通端口在88 GHz～99 GHz内的插入损耗小于0.7 dB，断开端口隔离度大于58 dB。测试结果显示，在频段90 GHz～95 GHz内，输入端口与输出端口1之间的插入损耗低于3.7 dB、隔离度高于33 dB；输入端口与输出端口2之间的隔离度高于33 dB、插入损耗低于3.8 dB。
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