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以H2O作氧源，Zn(C2H5)2作Zn源，N2作载气，在50mm Al2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜，用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征，报道了ZnO单晶膜的(102)非对称衍射结果．研究结果表明，在500～700℃范围内随生长温度升高，ZnO薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽，表面粗糙度减小，晶粒尺寸增大，在衬底温度为600℃时生长的ZnO膜的深能级发射最弱。