采用单管单元的高密度存储电路

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前言目前单管存储单元是一种最有发展前途的动态存储元件,而且它可以明显地增加单元的密度。在具有高密度的存储器中,不仅要估计到由于工艺不完善而影响成品率,而且也必须仔细地考虑芯片尺寸引起的参数容差。对单管单元的随机存储器来说,为了可靠地鉴别存储在单元中的信息,就需要有灵敏的读出放大器,这种考虑就变成更重要了。因为放大器的性能取决于参数的容差,所以放大器的灵敏度对随机存储器总的成品率影响很大。在简短地描述存储单元后,讨论了不同参数容差对灵敏 Foreword At present, single-tube memory cell is one of the most promising dynamic memory elements, and it can significantly increase cell density. In high density memories, not only is it estimated that the yield is compromised due to imperfections in the process, but the parameter tolerance due to the chip size must also be carefully considered. In the case of a single-pipe RAM, this consideration becomes more important in order to reliably identify the information stored in the cell by requiring a sensitive sense amplifier. Because the performance of an amplifier depends on the tolerance of the parameters, the sensitivity of the amplifier greatly affects the overall yield of the random access memory. After a brief description of the memory cell, different parameter tolerances are discussed
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