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随着特征尺寸缩小到32nm以下，传统的脉冲成核层（PNL）将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸，而且仍然能满足所需的电阻率要求。
降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩
【摘 要】
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随着特征尺寸缩小到32nm以下，传统的脉冲成核层（PNL）将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸，而且仍然能满足所需的电阻
【机 构】
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AnandChandrashekarMichalDanek
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2009年1期
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