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为为反映使倾向的发生光反映正常发生光和其它与一 DBR 带的联合 DBR 被 MOCVD 种了。为改进被用来在带的 AlGaInP 红光增加轻抽取效率的常规 DBR 被分析。在 20 妈 Dc 注射电流,带的山峰波长是 630 nm,和光紧张上轴是 137 mcd。产量光力量是 2.32 mW。轻紧张和产量光力量与常规 LEDs 相比被改进了。CLC 数字 TN312+.8 工作被北京科技委员会(工程数字 D0404003040221 ) 支持