C波段硅微波功率振荡晶体管

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本文报导的硅微波功率振荡晶体管WZ311采用了精细的多胞梳状图形、浅结薄基区、金-金多层内电极系统以及全密封的微带金属封装,器件不仅具有在4GHz下振荡输出大于400mW的优良的微波性能,而且具有较好的可靠性。 The WZ311 silicon microwave power oscillating transistor reported in this paper adopts a fine multi-cell comb pattern, a shallow junction thin base region, a gold-gold multilayer electrode system and a fully sealed microstrip metal package. The device not only has the oscillation output Greater than 400mW excellent microwave performance, but also has good reliability.
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