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为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。
ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制
【摘 要】
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为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报
【机 构】
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上海交通大学应用物理系,光电材料与光电器件实验室上海 200030中国科学院上海技术物理研究所,半导体薄膜材料研究中心上海 200083;
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2004年期
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