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采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法，研究了氢分子（H2）在清洁、空位缺陷及Pd原子吸附的Mg（0001）表面的吸附与解离性能。结果显示：H2在清洁Mg（0001）表面呈较弱的物理吸附，H2解离需克服较高的能垒（1．3774eV）；空位缺陷的存在增强了Mg表面对H2的物理吸附能力，且使H2的解离能垒（1．2221eV）有所降低；而清洁表面吸附的Pd原子则会与H2产生强烈的化学吸附作用，极大地降低了H2的解离能垒（0．2860eV）。电子结构分析发现：3种表面对H2吸附与解离的催化活性与Mg（0001）表