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本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明：固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率。
SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究
【摘 要】
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本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明：固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结
【机 构】
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郑州工业应用技术学院
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2016年12期
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