【摘 要】
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介绍了一种采用0．35μmCMOS工艺制作的具有温度补偿的时钟振荡器电路。从环形振荡器的基本原理出发，基于对CMOS工艺各种非理想性因素的分析，提出一种新型的工艺补偿电路，减小振荡
【机 构】
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北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室,北京工业大学集成电路与系统集成实验室
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介绍了一种采用0．35μmCMOS工艺制作的具有温度补偿的时钟振荡器电路。从环形振荡器的基本原理出发，基于对CMOS工艺各种非理想性因素的分析，提出一种新型的工艺补偿电路，减小振荡器偏置电流随阈值电压的漂移；在延迟单元的设计中，引入NMOS交叉耦合对组成的交流负阻抗来进一步补偿PMOS迁移率随温度的变化，从而有效抑制输出频率随温度的变化。该振荡器电路用于MEMS加速度计读出电路芯片。样品电路测试结果表明，在一20～100℃温度范围内，时钟振荡器的频率仅变化38kHz。
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