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从第三代同步辐射装置的特点出发,提出局部屏蔽的重要性,并以光束线前端为例,用M-C方法模拟了1 GeV的电子在其中的剂量分布.
同步辐射装置辐射屏蔽计算的探讨
【摘 要】
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从第三代同步辐射装置的特点出发,提出局部屏蔽的重要性,并以光束线前端为例,用M-C方法模拟了1 GeV的电子在其中的剂量分布.
【机 构】
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上海大学,上海大学
【出 处】
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上海大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2002年5期
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