化学气相沉积法制备高纯钛工艺研究

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介绍了卤化物热裂解法制备电子级高纯钛的工艺过程。采用单因素实验,研究了反应过程中反应时间、TiI2蒸汽压、卤化区温度以及裂解区温度的影响。同时,结合热力学及动力学分析得到适宜的工艺条件为:反应时间25小时;TiI2蒸汽压3~3.5kPa;卤化区温度550—800℃;沉积区温度为1100—1200℃。在此条件下进行检验性实验,单次高纯钛产量超过3kg。产品经电镜扫描(SEM)观察,晶体横截面断口形貌整齐、规整,结晶情况良好。经电子束炉熔炼后的产品经辉光质谱(GDMS)检测,高纯钛中28种杂质元素总和小于2&
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