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随着大功率三代半导体芯片广泛应用,器件功率不断增高,现有的陶瓷基板与外壳、金属封装热沉与外壳、连接材料都面临着散热等方面的挑战,需要新的封装技术与材料满足其可靠性需求。多层共烧氮化铝、氮化硅直接覆铜、新型相变传热热沉、梯度硅铝、纳米银浆封装材料由于拥有更高的热导率、及大功率使用环境下的更优可靠性等特点,满足了微波功率、电力电子、航空航天等应用领域器件功率不断增高的封装可靠性需求。