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基于密度泛函理论对Hg在纯CeO2表面的吸附机理进行了理论计算，采用P（3×3）的二维超晶胞模型计算了CeO2 3个不同表面上不同位点对汞的吸附能，计算结果表明，Hg在纯CeO2表面吸附能力较弱，为物理吸附，Hg原子与CeO2未形成有效化学键。为了进一步研究Hg在CeO2表面的吸附机理，计算了Hg在Pd掺杂的CeO2（Pd-CeO2）表面的吸附机理，结果表明，Hg在Pd-CeO2表面吸附能较强，为化学吸附，Hg原子与Pd-CeO2之间形成有效的化学键，说明Pd的掺杂有利于提高CeO2对汞的吸附能