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通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化，然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜，并利用湿N2气氛退火，将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质。研究了表面钝化对GeMOS器件性能的影响。实验结果表明，湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层，有效降低MOS电容的栅极漏电流，增强器件的可靠性。