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选取单晶硅作为隔热衬底，Bi和Sb材料作为靶材，采用磁控溅射技术溅射制备多层复合纳米薄膜。研究了当固定调制周期为40nm，Bi和Sb的调制比分别为1：1、3：2、4：1和1：4时，Bi／Sb超晶格复合薄膜的Seebeck系数、电导率和功率因子在160~250K温度范围内随温度的变化。发现当调制比为1：4时，Bi／Sb薄膜的功率因子明显高于其它3种情况。