【摘 要】
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本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管(SWCNT) p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具
【机 构】
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山东科技大学机械电子工程学院; 上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室;
【基金项目】
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上海市浦江人才计划(15PJ1403300);上海市“科技创新行动计划”国际合作项目(15520720200);国家自然科学基金(61177052);全国优秀博士学位论文作者专项资金(201154);教育部霍英东青年教师基金(131064)~~
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本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管(SWCNT) p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性。所制二极管器件具有高的器件性能,其整流比可达10~3数量级、反向饱和电流仅为23 p A。此外,简要探讨了该结构二极管的工作原理。
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