【摘 要】
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JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的特性并不很理想,影响了电路的性能。目前的高
【机 构】
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机电部第24研究所重庆永川632167
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JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的特性并不很理想,影响了电路的性能。目前的高性能场效应运放,基本上是采用高性能JFET对管与纵向p-n-p、n-p-n混合组装而成。本文分析了场效应运放中场效应器件制作技术的发展,提出了两种新的单片高性能JF-ET对管与高性能纵向p-n-p、n-p-n兼容工艺,以期能结合自动稳零技术,制造出单片高速、宽带、高输入阻抗、低失调、高精度运放。
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