【摘 要】
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2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS、利用纳电子机械低功耗效应的NEMS开关、基
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2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS、利用纳电子机械低功耗效应的NEMS开关、基于铁电电容具有的负栅电容FET、利用量子点中单电子库伦阻塞效应的单
2.2 Charge base CMOS new expansion device Charge base CMOS new expansion device function and field effect devices, including the use of tunneling tunneling FET tunneling, the use of impact ionization IMOS, the use of nanoelectromechanical low-power effects NEMS switch, based on the negative gate capacitance FET of a ferroelectric capacitor, makes use of a single electron coulomb blocking effect in the quantum dot
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