RTCVD工艺制备poly-si薄膜太阳电池的研究

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wulaixiaosheng

【摘要】

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报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly-si)薄膜及电池的实验和结果.采用SiH2CL2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s.发现薄膜的平均晶

【作者】

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赵玉文李仲明何少琪王文静寥显伯盛殊然邓礼生潘广

【机构】

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北京市太阳能研究所,北京100083;中国科学院半导体研究所,国家表面物理实验室,北京100083

【出处】

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太阳能学报

【发表日期】

：

1998年1期

【关键词】

：

多晶硅薄膜太阳电池快速热化学气相沉积

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报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly-si)薄膜及电池的实验和结果.采用SiH2CL2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s.发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关.用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm2的p+n结样品电池,无减反射涂层,其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).

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