硅基片上微米厚度SiO2膜的斜入射红外反射透过谱分析

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xm10282008
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介绍了硅基片上具有微米厚度的SiO2膜在斜入射情况下的红外反射透过谱测量结果, 发现在900~1 250 cm-1波段内的结果有别于一般的透射谱, 出现了峰位基本不变的1 100 cm-1反射峰. 随厚度增大, 1 100 cm-1峰和1 200 cm-1凹谷的降低逐渐变为迟缓. 当厚度达到2 μm以上后, 1 075~1 250 cm-1谱线的变化已不再明显. 通过分析表明, 结果中包含了SiO2膜的表面反射谱和SiO2膜层的吸收谱. 当膜厚达到微米量级而引起较大吸收时, 表面反射谱的贡献相当明显. 此
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