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<正>尽管目前全球存储器四强竞局维持平衡状态,然近期各厂投资动作频频,包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)与东芝(Toshiba)为量产3D NAND Flash,纷投资建厂或以既有生产线进行转换,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash,业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。半导体业者表示,3D NAND技术是未来存储器