【摘 要】
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一、红外成象红外成象用CCD和CID 需使用窄禁带半导体作衬底,技术上主要困难在于其MOS工艺不成熟。不过,已证实用InSb可以制成中等规模和一般性能的CID和CCD。Si:In或Si:Ga
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一、红外成象红外成象用CCD和CID 需使用窄禁带半导体作衬底,技术上主要困难在于其MOS工艺不成熟。不过,已证实用InSb可以制成中等规模和一般性能的CID和CCD。Si:In或Si:Ga也可用作
First, infrared imaging Infrared imaging using CCD and CID narrow bandgap semiconductor to be used as a substrate, the main technical difficulty is that its MOS technology is not mature. However, it has been demonstrated that InSb can be used to make CIDs and CCDs of moderate size and general performance. Si: In or Si: Ga can also be used
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