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随着超大规模集成电路（VLSI）图形密度的增大，临近效应已成为光学光刻的关键问题之一。通常在平整硅片上对0.5μm图形采用0.54NA和传统的单层i线抗蚀工艺时，密集图形和孤立图形间的线宽差异大约为0.08μm。然而，这一线宽差异已严重的影响了实际生产的工艺稳定性。阐述了临近效应对图形尺寸、线条与间隙占空间比、衬底膜种类、曝光过程的散焦效应、与抗蚀剂厚度变化有关的抗蚀工艺条件和显影时间的依赖性。同时，采用2种不同抗蚀剂实验检测了不同潜相对比度引起的关键尺寸（CD）偏差。为减小实际图形因抗蚀剂厚度变化引起的CD差异，获得最佳抗蚀剂厚度，进行了一种模拟研究。