湿法腐蚀硅制作PDMS微流控芯片

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提出一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片的方法.用15%四甲基氢氧化铵溶液各向异性腐蚀硅(100)制作模具,然后经过浇模,中真空键合得到PDMS微流控芯片.整个过程耗时约10 h.用SEM和激光共焦显微成像系统观察整个制作过程.分析了硅片模具及PDMS微流控芯片图案的一致性及粗糙度,结果表明硅片模具图案的相对标准偏差低于3%,表面粗糙度Ra是0.051 μm,PDMS微流控芯片相应的分别是1%和0.183 μm.用PDMS微流控芯片进行电泳分离试验,分离场强200 V/cm,在4.7 cm长的分离
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