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使用溴化乙锭(Ethidiumbromide,EtBr)诱导方法构建线粒体数目减少支气管上皮细胞(HumanbronchiaepitheliawithmitochondrialDNAknock—down,ρ-HBE)模型并进行长期氡照射,用克隆形成法测定氡照射后HBE细胞的增殖能力,用流式细胞仪进行细胞凋亡和线粒体膜电位的检测。结果发现,氡照射后,与线粒体DNA数量正常的HBE细胞(ρ+HBE)相比较,ρ-HBE细胞存活分数明显增高,虽然早期凋亡率明显低于正常细胞,但是总凋亡率增加,同时线粒体膜电位也显著