高光学质量氮化碳薄膜的制备和表征

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwchao

【摘要】

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氮化碳(graphitic carbon nitride,g-CN)作为一种非金属半导体材料已被广泛应用于多种能源相关领域研究中。目前由于制备高质量g-CN薄膜的困难,大大限制了其在实际器件上的应

【作者】

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曹丹丹吕荣于安池

【机构】

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中国人民大学化学系

【出处】

：

物理化学学报

【发表日期】

：

2019年4期

【关键词】

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氮化碳薄膜两步法气相沉积形貌组成稳态吸收荧光光谱时间相关单光子计数 Carbon nitride filmTwo-step method of v

【基金项目】

：

国家自然科学基金(21773306)资助项目.

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氮化碳(graphitic carbon nitride,g-CN)作为一种非金属半导体材料已被广泛应用于多种能源相关领域研究中。目前由于制备高质量g-CN薄膜的困难,大大限制了其在实际器件上的应用。本文中,我们报道了一种可制备高光学质量g-CN薄膜的方法:即由三聚氰胺先通过热聚合制备本体g-CN粉末,再由本体g-CN粉末经过气相沉积在ITO导电玻璃或钠钙玻璃基底上制备g-CN薄膜。扫描电子显微镜和原子力显微镜的测量结果表明在ITO玻璃基底上形成的g-CN薄膜形貌结构均一且致密,厚度约为300 nm。扫描

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