InGaZnO靶材和薄膜的研究进展

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对In-Ga-Zn-O (IGZO)材料推广应用过程中可能的技术阻碍进行了分析,包括IGZO的成分分析、IGZO靶材制备技术分析、IGZO-TFT (IGZO薄膜晶体管)稳定性分析等。通过调节IGZO中氧化物的成分比例,可以调节IGZO的光电性能;IGZO靶材的制备选取1400℃以上的烧结温度可以得到高密度,成分均匀的靶材;通过增加遮光层、保护层、采用双栅结构、设计补偿电路等措施,可以提高a-IGZO TFT的稳定性。
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