LBO晶体的生长缺陷研究

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采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂(LBO)晶体的生长缺陷,实验结果表明,LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。
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