【摘 要】
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采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3：SnO2=90：10（质量比）]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明：溅射工艺
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3：SnO2=90：10（质量比）]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明：溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧氩体积比的增大,样品的电阻率显著增大,沉积速率下降;随着溅射功率的增加,ITO薄膜的电阻率先减小后略微增大,沉积速率上升;随着溅射气压升高,ITO薄膜的电阻率先减小后增大,当溅射气压增大到较大值时,ITO薄膜的电阻率又开始减小,而沉积速率则先上升后下降。
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