高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度

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微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200μm×60μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化。结果表明,单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36A稳态工作的激光器阵列冷却到342K,9个微通道可以冷却到306K。仿真了增加微通道间距的温度分布,发现为间距260μm的5个微通道热沉,可以将激光器冷却到308K。
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