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本文报导了延时为２．２ｎｓ的ＴＣ超导薄膜延迟线的制作工艺。应用直流磁控溅射在１０×１０ｍｍ＾２ＬａＡｌＯ３衬底上均匀地外延生长４５０ｎｍ优质ＹＢＣＯ超导薄膜，采用离子束干法刻蚀技术制作出宽为１６６μｍ长为１７４ｍｍ的曲折线图形，配以合适的气密性封装，经美国ＨＰ８５０７矢量网络分析仪测量，在温度７８Ｋ频率１．２ＧＨｚ时，延迟线的插入损耗低达０．０４ｄＢ，仅为相同条件下铜膜延一插损的１／１６０。