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文章研究了A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下，采用三种不同辐照剂量6×10^14，4×10^14和1×10^15protons／cm^2。在最高辐照剂量下，漏极饱和电流下降了20％，最大跨导降低了5％。随着剂量增加，阈值电压向正向漂移，栅泄露电流增加。A1GaN／GaNHEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度，将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中，仿真结果与实验结果相