【摘 要】
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文章用RF—PECVD设备制备了G—SiNx薄膜，研究了TFT器件击穿电压的测定与分析方法，并对成膜条件中的SiH4流量以及G-SiNx膜厚进行浮动变化，以及研究TFT器件击穿电压的变化方式。结
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文章用RF—PECVD设备制备了G—SiNx薄膜，研究了TFT器件击穿电压的测定与分析方法，并对成膜条件中的SiH4流量以及G-SiNx膜厚进行浮动变化，以及研究TFT器件击穿电压的变化方式。结果表明：随着SiH4／NH3流量增大，其耐压性降低；增大绝缘膜厚度，耐压性随之增大。文章对TFT耐压性测量方法的探讨以及PECVD工艺条件与耐压性的相关关系的研究。对于制备合格的氮化硅薄膜提供了借鉴与指导。
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