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研究了ZnO纳米粉制备压敏电阻的工艺条件，得出其最佳烧结温度为1200℃，与普通ZnO粉体制备的压敏陶瓷相比，纳米ZnO压敏电阻非线性性能好、结构均匀。
纳米ZnO压敏电阻的制备及性能研究
【摘 要】
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研究了ZnO纳米粉制备压敏电阻的工艺条件，得出其最佳烧结温度为1200℃，与普通ZnO粉体制备的压敏陶瓷相比，纳米ZnO压敏电阻非线性性能好、结构均匀。
【机 构】
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太原科技大学材料科学与工程学院,太原理工大学材料科学与工程学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2005年F11期
【基金项目】
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校青年基金（2004002）
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