【摘 要】
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2013年12月13日意法半导体公司（ST）推出一种先进的V系列600V沟栅式场截止型（trench—gatefield—stop）IGBT．它具有平顺、无拖尾电流的关机特性．饱和电压更是低达1．8V，最大工作结温高
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2013年12月13日意法半导体公司（ST）推出一种先进的V系列600V沟栅式场截止型（trench—gatefield—stop）IGBT．它具有平顺、无拖尾电流的关机特性．饱和电压更是低达1．8V，最大工作结温高达175℃．这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率．行简化散热设计和电磁干扰（EMI）设计。
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