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为了制备性能更好的~(68)Ge/~(68)Ga发生器,以满足正电子断层显象技术发展的需要,调查了多种载体的Ge、Ga吸附性质,建立了三个~(68)Ge/~(68)Ga发生器体系:CaCO_3-Ca(OH)_2、活性炭—Ca(OH)_2和CeO_2-HCI.其中以 CeO_2.支持体的性能最好,3ml 0.02 mol/I HCI淋出液的~(68)Ga产率>60%,~(68)Ge的流穿<0.05%.