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最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结(DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体),在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻(TMR)针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚度以及势垒高度的变化.结果表明:与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结(FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体)相比,DSFJ具有一个有利于应用的特点:其TMR在具有甚高值的问时,不随偏压的增大而单调地剧烈下降,而是先缓慢升到一个峰值后再下降.