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用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响．发现极化场会导致电压降的出现，从而使得结构对称的AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱具有不对称的导带和价带．极化效应还会使奇数序和偶数序的于带之间发生很大的Stark平移，从而使第一奇数序和第二偶数序子带之间的跃迁波长变短，这将有利于实现工作在通信窗口的光电子器件．同时，由于导带分布的不对称性，电子分布也不对称，从而会影响吸收系数．